IDB10S60C

Infineon Technologies

Producto No:

IDB10S60C

Fabricante:

Paquete:

PG-TO263-3-2

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-3

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Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	480pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Current - Reverse Leakage @ Vr	140 µA @ 600 V
Series	CoolSiC™+
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 10 A
Mfr	Infineon Technologies
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Package	Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io)	10A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Base Product Number	IDB10