GT025N06AT

Goford Semiconductor

Producto No:

GT025N06AT

Fabricante:

Paquete:

TO-220

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Ficha de datos:

Descripción:

N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4954 pF @ 30 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	215W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	170A (Tc)
Mfr	Goford Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tube