GD60MPS06H
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GD60MPS06H

GeneSiC Semiconductor

Producto No:

GD60MPS06H

Paquete:

TO-247-2

Lote:

-

Ficha de datos:

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Descripción:

DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2

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Información del producto

Parámetro Info

Guía del usuario

Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Capacitance @ Vr, F 1463pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Supplier Device Package TO-247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 µA @ 650 V
Series SiC Schottky MPS™
Package / Case TO-247-2
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 60 A
Mfr GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Package Tube
Current - Average Rectified (Io) 82A
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Base Product Number GD60