GCMX040B120S1-E1

SemiQ

Producto No:

GCMX040B120S1-E1

Fabricante:

Paquete:

SOT-227

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SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3185 pF @ 1000 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	121 nC @ 20 V
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package	SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 10mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	242W (Tc)
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Technology	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	57A (Tc)
Mfr	SemiQ
Vgs (Max)	+25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Package	Tube
Base Product Number	GCMX040