G630J

Goford Semiconductor

Producto No:

G630J

Fabricante:

Paquete:

TO-251

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Descripción:

N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3.

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	509 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-251
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	G
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Mfr	Goford Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube