G100N03D5

Goford Semiconductor

Producto No:

G100N03D5

Fabricante:

Paquete:

8-DFN (4.9x5.75)

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Descripción:

N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5595 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	50W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Mfr	Goford Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)