G04P10HE

Goford Semiconductor

Producto No:

G04P10HE

Fabricante:

Paquete:

SOT-223

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 4979

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1647 pF @ 50 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package	SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	G
Power Dissipation (Max)	1.2W (Tc)
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Mfr	Goford Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)