FQI7N10TU

onsemi

Producto No:

FQI7N10TU

Fabricante:

Paquete:

I2PAK (TO-262)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 3.65A, 10V
Supplier Device Package	I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	QFET®
Power Dissipation (Max)	3.75W (Ta), 40W (Tc)
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.3A (Tc)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	FQI7