FQAF13N80

onsemi

Producto No:

FQAF13N80

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Paquete:

TO-3PF

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Descripción:

MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3500 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	88 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	QFET®
Power Dissipation (Max)	120W (Tc)
Package / Case	TO-3P-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	FQAF13