FDT86113LZ

onsemi

Producto No:

FDT86113LZ

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SOT-223-4

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Descripción:

MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	315 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 3.3A, 10V
Supplier Device Package	SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	PowerTrench®
Power Dissipation (Max)	2.2W (Ta)
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.3A (Tc)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	FDT86113