FDD306P

onsemi

Producto No:

FDD306P

Fabricante:

Paquete:

TO-252AA

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Descripción:

MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1290 pF @ 6 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Supplier Device Package	TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Series	PowerTrench®
Power Dissipation (Max)	52W (Ta)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.7A (Ta)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	FDD306