FDB16AN08A0
detaildesc

FDB16AN08A0

onsemi

Producto No:

FDB16AN08A0

Fabricante:

onsemi

Paquete:

D²PAK (TO-263)

Lote:

-

Ficha de datos:

pdf

Descripción:

MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK

Cantidad:

Entrega:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Pago:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : 670

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

  • 1

    $2.679

    $2.679

  • 10

    $2.40255

    $24.0255

  • 100

    $1.93135

    $193.135

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Información del producto

Parámetro Info

Guía del usuario

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1857 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 58A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 135W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 58A (Tc)
Mfr onsemi
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number FDB16AN08