E3M0120090J-TR

Wolfspeed, Inc.

Producto No:

E3M0120090J-TR

Fabricante:

Paquete:

TO-263-7

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

SIC, MOSFET, 120M, 900V, TO-263-

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	414 pF @ 600 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 15 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155mOhm @ 15A, 15V
Supplier Device Package	TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 3mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Series	E
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technology	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Tc)
Mfr	Wolfspeed, Inc.
Vgs (Max)	+15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Package	Tape & Reel (TR)