BYG10M-E3/TR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Producto No:

BYG10M-E3/TR

Fabricante:

Paquete:

DO-214AC (SMA)

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Descripción:

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

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Speed	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	4 µs
Capacitance @ Vr, F	-
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	DO-214AC (SMA)
Current - Reverse Leakage @ Vr	1 µA @ 1000 V
Series	-
Package / Case	DO-214AC, SMA
Technology	Avalanche
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.15 V @ 1.5 A
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000 V
Package	Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io)	1.5A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C
Base Product Number	BYG10