BSS84AKQBZ

Nexperia USA Inc.

Producto No:

BSS84AKQBZ

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DFN1110D-3

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BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	23.2 pF @ 25 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount, Wettable Flank
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5Ohm @ 100mA, 10V
Supplier Device Package	DFN1110D-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	50 V
Series	Automotive, AEC-Q100
Power Dissipation (Max)	420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Package / Case	3-XDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	270mA (Ta)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Vgs (Max)	+12V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)