BSM300D12P3E005

Rohm Semiconductor

Producto No:

BSM300D12P3E005

Fabricante:

Paquete:

Module

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

SILICON CARBIDE POWER MODULE. B

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 6

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Supplier Device Package	Module
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 91mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Series	-
Package / Case	Module
Technology	Silicon Carbide (SiC)
Power - Max	1260W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	300A (Tc)
Mfr	Rohm Semiconductor
Package	Bulk
Base Product Number	BSM300