BSH103BKR

Nexperia USA Inc.

Producto No:

BSH103BKR

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TO-236AB

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BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	79.3 pF @ 15 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.2 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package	TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	330mW (Ta), 2.1W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)