AS2324

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Producto No:

AS2324

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SOT-23

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.3 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package	SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.2W (Ta)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Mfr	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)