AOB29S50L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Producto No:

AOB29S50L

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TO-263 (D2Pak)

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Descripción:

MOSFET N-CH 500V 29A TO263

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1312 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26.6 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 14.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Series	aMOS™
Power Dissipation (Max)	357W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	29A (Tc)
Mfr	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	AOB29S50