1N65G

UMW

Producto No:

1N65G

Fabricante:

Paquete:

SOT-223

Lote:

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Descripción:

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	UMW
Power Dissipation (Max)	-
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Tj)
Mfr	UMW
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)